【模塊描述】本模塊介紹均勻電場(chǎng)、稍不均勻電場(chǎng)的氣體擊穿特性。通過(guò)原理講解,了解均勻電場(chǎng)中無(wú)極性效應(yīng)、無(wú)局部放電的特點(diǎn),掌握均勻電場(chǎng)中擊穿電壓與間隙距離的線性關(guān)系及其應(yīng)用,掌握標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下空氣隙的平均擊穿場(chǎng)強(qiáng)值,掌握稍不均勻電場(chǎng)的極性效應(yīng)。
【正文】
一、均勻電場(chǎng)氣體放電及其擊穿特性
1.均勻電場(chǎng)的典型電極
所謂均勻電場(chǎng),就是間隙中電場(chǎng)強(qiáng)度處處相等。平板電極當(dāng)電極的面積遠(yuǎn)大于電極間的距離且消除電極邊緣效應(yīng)后構(gòu)成的電場(chǎng)為均勻電場(chǎng),例如,高壓靜電電壓表的電極布置就是均勻電場(chǎng)間隙。
2.均勻電場(chǎng)氣體放電的特點(diǎn)
(1)因電極對(duì)稱(chēng),所以擊穿電壓無(wú)極性效應(yīng)。
(2)因擊穿前間隙各處場(chǎng)強(qiáng)相等,擊穿前無(wú)電暈發(fā)生,起始放電電壓等于擊穿電壓。
(3)擊穿所需時(shí)間極短,因此直流擊穿電壓、工頻擊穿電壓(幅值)、50%沖擊擊穿電壓都相同,且分散性較小。
3.均勻電場(chǎng)氣隙的擊穿電壓
均勻電場(chǎng)中空氣間隙的擊穿電壓Ub(峰值,kV)可用以下經(jīng)驗(yàn)公式表示
式中 S——間隙距離,cm;
δ——空氣相對(duì)密度。
當(dāng)S在1~10cm范圍內(nèi)時(shí),均勻電場(chǎng)中空氣的擊穿場(chǎng)強(qiáng)(峰值)大約等于30kV/cm。
二、稍不均勻電場(chǎng)的氣體放電及其擊穿特性
在電氣設(shè)備的絕緣結(jié)構(gòu)中,電場(chǎng)絕大多數(shù)是不均勻電場(chǎng)。電場(chǎng)不均勻的程度用電場(chǎng)不均勻系數(shù)f表示,f<2時(shí)為稍不均勻電場(chǎng)。稍不均勻電場(chǎng)中放電的特點(diǎn)與均勻電場(chǎng)中相似。
1.稍不均勻電場(chǎng)的典型電極
較典型的稍不均勻電場(chǎng)結(jié)構(gòu)形式有:球一球、球一板、兩平行圓柱、兩同軸圓柱、兩垂直圓柱等。如高壓實(shí)驗(yàn)室中用來(lái)測(cè)量電壓的球間隙、高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器、單芯電纜等都屬于稍不均勻電場(chǎng)。SF6氣體絕緣設(shè)備中(例如 GIS)經(jīng)常遇到的也是均勻或稍不均勻電場(chǎng)。
需要說(shuō)明的是:任何形狀電極的電場(chǎng)都會(huì)隨著極間距離的增大從稍不均勻電場(chǎng)變?yōu)闃O不均勻電場(chǎng)。
2.稍不均勻電場(chǎng)的極性效應(yīng)
當(dāng)電場(chǎng)分布不對(duì)稱(chēng)時(shí),稍不均勻電場(chǎng)中也有極性效應(yīng),且其擊穿電壓的極性效應(yīng)與極不均勻電場(chǎng)間隙相反。這是因?yàn)殡姌O為負(fù)極性時(shí),電暈起始電壓比正極性略低,而在稍不均勻電場(chǎng)中,由于不能形成穩(wěn)定的電暈放電,電暈起始電壓就是擊穿電壓,所以電極為負(fù)極性時(shí)的擊穿電壓較正極性時(shí)略低。
工頻交流電壓作用下擊穿電壓的峰值與負(fù)極性時(shí)相同。
3.稍不均勻電場(chǎng)中擊穿電壓的特點(diǎn)
(1)電場(chǎng)不對(duì)稱(chēng)時(shí),擊穿電壓有極性效應(yīng),但不顯著。
(2)擊穿前有電暈發(fā)生,但不穩(wěn)定,一旦出現(xiàn)電暈,立即導(dǎo)致整個(gè)間隙擊穿。
(3)間隙距離一般不很大,放電發(fā)展所需時(shí)間短。直流擊穿電壓、工頻擊穿電壓峰值及50%沖擊擊穿電壓幾乎一致,且分散性不大。
稍不均勻電場(chǎng)的擊穿電壓與電場(chǎng)均勻度關(guān)系極大,沒(méi)有能夠概括各種電板結(jié)構(gòu)的統(tǒng)一的經(jīng)驗(yàn)公式,通常是對(duì)一些典型的電極結(jié)構(gòu)做出一批實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù),實(shí)際的電極結(jié)構(gòu)只能從典型電極中選取類(lèi)似結(jié)構(gòu)進(jìn)行估算。
很明顯,電場(chǎng)越均勻,同樣間隙距離下的擊穿電壓越高,其極限就是均勻電場(chǎng)中的擊穿電壓。
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