通過對復(fù)合材料的介電性能研究，如圖2.13 <a)所示，隨著填料的增加介電常數(shù)逐漸升高，而且與未包覆單寧酸的復(fù)合材料相比，當(dāng)填料體積分數(shù)超過7.5時，介電常數(shù)不會出現(xiàn)下降情況，而會越來越高，這充分說明了單寧酸使填料的分散性和相容性更好，從而不會由于填料升高出現(xiàn)團聚現(xiàn)象而導(dǎo)致介電常數(shù)出現(xiàn)下降的情況。在介電損耗方便，與之前未包覆單寧酸的復(fù)合材料相比也有很大下降，如體積分數(shù)為2.5%和5%的TA@CCTO NW/P(VDF-HFP)復(fù)合材料在低頻范圍下其介電損耗低于純P(VDF-HFP)，這比之前未包覆單寧酸的復(fù)合材料介電性能有了很大提升。從而我們得出用單寧酸有機小分子對無機填料進行包覆后制備出的復(fù)合材料可以使填料有著更好的相容性，從而使復(fù)合材料的介電性能得到很大提升。

    單寧酸有著和多巴胺相似的分子特性，如圖2.13所示，我們將PDA@CCToNW/P(VDF-HFP)復(fù)合材料的介電性能TA@CCTO NW/P(VDF-HFP)復(fù)合材料進行對比。通過比較2.13 <a)與2.13 <b)兩幅圖，可以得出包覆單寧酸的復(fù)合材料

有著比包覆多巴胺復(fù)合材料更加高的介電常數(shù)，不過通過比較2.13<c)與2.13<d)兩幅圖，可以得出包覆多巴胺的復(fù)合材料有著更加低的介電損耗，且效果很好。兩者在介電性能上各有優(yōu)勢，主要原因可能由于二者在包覆厚度上的區(qū)別，單寧

酸在包覆厚度上較薄，在Snm左右，多巴胺的包覆厚度較厚，在1 Onm左右，包覆薄可以讓填料表現(xiàn)出更多的介電性能，從而介電常數(shù)較高，而多巴胺的厚度是填料的分散性更好，而且填料與聚合物基體之間的界面也不會出現(xiàn)電荷的聚集，

而產(chǎn)生漏電電流，進而提高介電損耗。

    可以看出有機小分子對CCTO納米線的表面改性使得其擁有更好的介電性能，尤其在介電損耗方面，經(jīng)過改性的CCTO納米線均可以大幅降低介電損耗。

關(guān)鍵詞：介電常數(shù)測定，介損測試，復(fù)合材料